1SV237(TE85L,F)

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1SV237(TE85L,F)
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
SOT23-4
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制造商
Toshiba
功能描述
50mA

1SV237(TE85L,F) 技术参数

1SV234-TB-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 时的电容:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:150mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:* 标准包装:3,000 1SV233-TB-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA SGL CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 时的电容:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:150mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 1SV229TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 15V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产不同?Vr，F 时的电容:6.5pF @ 10V，1MHz 电容比:2.5 电容比条件:C2/C10 电压 - 峰值反向（最大值）:15V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SV228TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR DUAL 15V SC-59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产不同?Vr，F 时的电容:13.7pF @ 8V，1MHz 电容比:2.6 电容比条件:C3/C8 电压 - 峰值反向（最大值）:15V 二极管类型:1 对共阴极不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 1SS427,L3M 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:1.6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:0.3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-923 供应商器件封装:SOD-923 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1SV277TPH3F 1SV279,H3F 1SV279TH3FT 1SV280,H3F 1SV281(TPH3,F) 1SV281TH3FT 1SV282TPH3F 1SV285TPH3F 1SV304TPH3F 1SV305,H3F 1SV307(TPH3,F) 1SV308(TH3,F) 1SV308,L3F 1SV310TPH3F 1SV311(TPH3,F) 1SV314(TPL3,F) 1SV315-TL-E 1SV322(TPH3,F)