2N343B

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N343B
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
MOT
CAN
15+
-
原装正品，假一罚十

2N343B
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9331
MOT
CAN
12+
-
绝对公司原装现货

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制造商
NJSEMI
制造商全称
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
功能描述
N-P-N GROWN-JUNCTION SILICON TRANSISTOR

2N343B 技术参数

2N3439UA 功能描述:TRANS NPN 350V 1A UA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，无引线供应商器件封装:- 标准包装:1 2N3439U4 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:U4 标准包装:1 2N3439L 功能描述:TRANS NPN 350V 1A TO-5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:2μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐供应商器件封装:TO-5 标准包装:1 2N3439 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:20μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:15MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N3421U4 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3469 2N3485A 2N3486 2N3486A 2N3498 2N3498L 2N3499 2N3499L 2N3500 2N3500L 2N3501 2N3501L 2N3501UB 2N3506A 2N3506AL 2N3506L 2N3507 2N3507AL