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配单专家企业名单

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说明
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2N5457-D74Z
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
现货
-
百分百原装正品，质量保障价格及优

2N5457-D74Z
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
FSC
TO-92
23+
-
只做原装正品

2N5457-D74Z
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
FSC
TO-92
22+
-
全新原装现货供应

2N5457-D74Z
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
FSC
TO-92
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

2N5457-D74Z
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865300
FSC
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

2N5457-D74Z
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
FSC
TO-92
21+
-
只做原装正品

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2N5457-D74Z 技术参数

2N5457_L99Z 功能描述:IC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源电压（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 15V 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7pF @ 15V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:135°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92（TO-226）标准包装:2,000 2N5457_D75Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 2N5457_D74Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 2N5457_D27Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 2N5457_D26Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 标准包装:2,000 2N5460 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA 2N5461RLRAG 2N5462 2N5462_D27Z 2N5462G 2N5484 2N5484_D26Z