2N6716STOB

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功能描述
两极晶体管 - BJT -
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2N6716STOB 技术参数

2N6715 功能描述:NPN SILICON AUDIO POWER 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 1A，1V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:500MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 基本零件编号:2N6715 标准包装:2,000 2N6714 功能描述:TRANS NPN MED PWR 30V 2A TO-237 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-237AA 供应商器件封装:TO-237 基本零件编号:2N6714 标准包装:2,000 2N6678T1 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6678 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6677 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6762 2N6764 2N6764T1 2N6766 2N6766T1 2N6768 2N6768T1 2N6770 2N6770T1 2N6782 2N6782U 2N6784 2N6784U 2N6788 2N6788U 2N6790 2N6790U 2N6796