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2SAR533P_09

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  • 制造商
  • ROHM
  • 制造商全称
  • Rohm
  • 功能描述
  • Midium Power Transistors (-50V / -3A)
2SAR533P_09 技术参数
  • 2SAR523UBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:UMT3F 标准包装:1 2SAR523MT2L 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SAR523EBTL 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89,SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 2SAR522UBTL 功能描述:TRANS PNP 20V 0.2A UMT3FM 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:UMT3F 标准包装:1 2SAR522MT2L 功能描述:TRANS PNP 20V 0.2A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SAR544PFRAT100 2SAR544PT100 2SAR544RTL 2SAR552P5T100 2SAR552PFRAT100 2SAR552PT100 2SAR553P5T100 2SAR553PFRAT100 2SAR553PT100 2SAR553RTL 2SAR554P5T100 2SAR554PFRAT100 2SAR554PT100 2SAR554RTL 2SAR572D3TL1 2SAR572DGTL 2SAR573D3TL1 2SAR574D3TL1
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