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2SK2098-01M(MR)

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    2SK2098-01M(MR)

    2SK2098-01M(MR)

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • FUJITSU/富士通

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

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  • 1
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2SK2098-01M(MR) 技术参数
  • 2SK2095N 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):95 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1600pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FN 标准包装:500 2SK2094TL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 10V 功率 - 最大值:10W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SK208-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1.2mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8.2pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK208-R(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):300μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8.2pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK208-O(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):600μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8.2pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q) 2SK2299N 2SK2315TYTR-E 2SK2376(Q) 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL
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