您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 2字母型号搜索 >

2SK4161D

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 2SK4161D
    2SK4161D

    2SK4161D

  • 林沃田信息技术(深圳)有限公司
    林沃田信息技术(深圳)有限公司

    联系人:岳先生 田小姐

    电话:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田区福田街道福南社区深南中路 3037号南光捷佳大厦2906

    资质:营业执照

  • 112980

  • Sanken

  • 22+

  • -
  • 原装正品现货有货

  • 2SK4161D
    2SK4161D

    2SK4161D

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • SANKEN

  • TO-3P

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
2SK4161D PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
2SK4161D 技术参数
  • 2SK4151TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.95 欧姆 @ 500mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.5nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):98pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2SK4150TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):400mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 欧姆 @ 200mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.7nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):80pF @ 25V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2SK4126 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):720 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4125-1E 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):610 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P-3L 标准包装:30 2SK4125 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):610 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4198FS 2SK4198LS 2SK4209 2SK4210 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V 2SK715V-AC 2SK715W
配单专家

在采购2SK4161D进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买2SK4161D产品风险,建议您在购买2SK4161D相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的2SK4161D信息由会员自行提供,2SK4161D内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号