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配单专家企业名单

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说明
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2SK4178-ZK-E1-AY
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
NEC
TO-252
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK4178-ZK-E1-AY
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
29615
N
TO-252
15+
-
全新原装现货

2SK4178-ZK
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
NEC
TO-252
22+
-
十年配单，只做原装

2SK4178-ZK-E1-AY
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
23097
RENESAS/瑞萨
TO-252
2020+
-
原厂原装现货

2SK4178-ZK-E1-AY
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
60000
RENESAS/瑞萨
TO-252
21+
-
长期代理优势供应实单可谈可开增值税

2SK4178-ZK
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NEC
TO-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK4178-ZK-E1-AY
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4228
RENESAS
TO-252
2224+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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2SK4178-ZK 技术参数

2SK4177-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:SMP-FD 标准包装:100 2SK4177-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:SMP-FD 标准包装:1,000 2SK4177-DL-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:37.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 30V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263-2 标准包装:1 2SK4171 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:135nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6900pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:100 2SK4151TZ-E 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1A TO-92 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.95 欧姆 @ 500mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.5nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:98pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2SK4221 2SK4222 2SK536-MTK-TB-E 2SK536-TB-E 2SK545-11D-TB-E 2SK596S-A 2SK596S-B 2SK596S-C 2SK669-AC 2SK715U 2SK715U-AC 2SK715V 2SK715V-AC 2SK715W 2SK715W-AC 2SK771-5-TB-E 2SK772E-AC 2SK879-GR(TE85L,F)

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