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2SK573

配单专家企业名单
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  • 2SK573
    2SK573

    2SK573

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 10000

  • TOS

  • TO-3P

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • 2SK573
    2SK573

    2SK573

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 880000

  • TOS

  • TO-220

  • 2024+

  • -
  • 代理商库房现货

  • 2SK573
    2SK573

    2SK573

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理,原装正品现货!!

  • 2SK573
    2SK573

    2SK573

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • TOSHIBA

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

  • 1/1页 40条/页 共14条 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知厂家
  • 制造商全称
  • 未知厂家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247VAR
2SK573 技术参数
  • 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):60μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1.5V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1.7pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:125mW 标准包装:3,000 2SK536-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 欧姆 @ 10mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:3,000 2SK536-MTK-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压(Vdss):- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 2SK4222 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):340 毫欧 @ 11.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):81nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2250pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK4221 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):26A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):240 毫欧 @ 13A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2250pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3PB 标准包装:100 2SK715W-AC 2SK771-5-TB-E 2SK772E-AC 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3
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