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2SK640-

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  • 2SK640-TD
    2SK640-TD

    2SK640-TD

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人：李燕兵

    电话：82525918

    地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质：营业执照

  • 6000

  • SANYO

  • SOT-89

  • 22+

  • -

  • 全新原装现货供应

  • 2SK640-TD
    2SK640-TD

    2SK640-TD

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人：李小姐

    电话：18229386512

    地址：上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SANYO/三洋

  • SOT-89

  • 23+

  • -

  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SK640-TD
    2SK640-TD

    2SK640-TD

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人：严艺浦

    电话：18682365538

    地址：上步工业区501栋410室

  • 20000

  • SANYO/三洋

  • SOT-89

  • 23+

  • -

  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SK640-T1
    2SK640-T1

    2SK640-T1

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人：林小姐//方先生

    电话：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知

  • 2000

  • NEC

  • SOT89

  • 2012+

  • -

  • 只做原装正品

  • 2SK640-T1
    2SK640-T1

    2SK640-T1

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • NEC

  • SOT-89

  • 最新批号

  • -

  • 代理此型号，原装正品现货！！！

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2SK640- 技术参数
  • 2SK596S-C 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:210μA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.1pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK596S-B 功能描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:150μA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.1pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK596S-A 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100μA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4.1pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:60μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.5V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1.7pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:125mW 标准包装:3,000 2SK536-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 欧姆 @ 10mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:3,000 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI
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