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2SK852/X2

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2SK852/X2 技术参数
  • 2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):2.5mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:20mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:200mW 标准包装:1 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):14.5mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):14.5mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):15V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):10mA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,500 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12
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