您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 >

AOT812

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • AOT812
    AOT812

    AOT812

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 410

  • AOS

  • TO-220

  • 13+

  • -
  • 原装现货/特价

  • AOT812
    AOT812

    AOT812

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

    电话:1530261991513762584085

    地址:深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 7600

  • AOS

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 公司原装现货,可订货,有单来谈QQ:16...

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
AOT812 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AOT812 技术参数
  • AOT7S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):650 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):434pF @ 100V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT7S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):372pF @ 100V 功率 - 最大值:104W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT7N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 7A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):700V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1175pF @ 25V 功率 - 最大值:198W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT7N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.56 欧姆 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1060pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT7N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1035pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOTF10B60D AOTF10B60D2 AOTF10B65M1 AOTF10B65M2 AOTF10N50FD AOTF10N50FD_001 AOTF10N60 AOTF10N60_003 AOTF10N60_006 AOTF10N60L_002 AOTF10N65 AOTF10N90 AOTF10T60 AOTF10T60_001 AOTF10T60L AOTF10T60P AOTF10T60PL AOTF11C60
配单专家

在采购AOT812进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买AOT812产品风险,建议您在购买AOT812相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的AOT812信息由会员自行提供,AOT812内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号