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AOTF360A70L

配单专家企业名单
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    AOTF360A70L

    AOTF360A70L

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 26714

  • VBSEMI/台湾微碧

  • TO220F

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • AOTF360A70L
    AOTF360A70L

    AOTF360A70L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 4750

  • isc,iscsemi

  • TO-220F

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOTF360A70L
    AOTF360A70L

    AOTF360A70L

  • 深圳市宏浩通电子科技有限公司
    深圳市宏浩通电子科技有限公司

    联系人:王利娟

    电话:13823141664

    地址:华强北街道上步工业区305栋3楼B08

  • 30000

  • AOS

  • N/A

  • 21

  • -
  • 原装正品 假一罚十

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  • 1
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AOTF360A70L 技术参数
  • AOTF2N60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:31W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1 AOTF2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:31W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF29S50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 14.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1312pF @ 100V 功率 - 最大值:37.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF298L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1670pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF296L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta),41A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF450L AOTF454L AOTF472 AOTF474 AOTF4N60 AOTF4N60L AOTF4N90 AOTF4S60 AOTF4T60P AOTF5B60D AOTF5B65M1 AOTF5N100 AOTF5N50 AOTF5N50FD AOTF6N90 AOTF7N60 AOTF7N60FD AOTF7N65
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