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APT11F80S

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  • APT11F80S
    APT11F80S

    APT11F80S

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 30000

  • isc,iscsemi

  • TO-268

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • APT11F80S
    APT11F80S

    APT11F80S

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
APT11F80S 技术参数
  • APT11F80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2471pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT10SCE170B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1700V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停產 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1700V 电流 - 平均整流(Io):23A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1700V 不同?Vr,F 时的电容:1120pF @ 0V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:30 APT10SCE120B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停產 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V 电流 - 平均整流(Io):43A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 1200V 不同?Vr,F 时的电容:630pF @ 1V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:30 APT10SCD65KCT 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 电流 - 平均整流(Io):17A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 650V 不同?Vr,F 时的电容:300pF @ 1V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220 [K] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT10SCD65K 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:碳化硅肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 电流 - 平均整流(Io):17A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.8V @ 10A 速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200μA @ 650V 不同?Vr,F 时的电容:300pF @ 1V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220 [K] 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY
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