APT150DL60B2G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT150DL60B2G
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
APTMICROSEMI
T-MAXB2
22+
-
十年配单，只做原装

APT150DL60B2G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
APT
T-MAX
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT150DL60B2G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
T-MAX?[B2]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

1/1页 40条/页共5条
1

您是不是要找： APT150GN120J APT150GN120JDQ4 APT150GN60B2G APT150GN60J APT150GN60JDQ4 APT150GN60LDQ4G APT150GT120JR APT15D100BCTG APT15D100BG

APT150DL60B2G PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT150DL60B2G PDF下载

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DL - Rail/Tube
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
RECTIFIER MODULE - FAST RECOVERY/FRED

APT150DL60B2G 技术参数

APT14M120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:145nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4765pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT14M100S 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:120nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3965pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:880 毫欧 @ 7A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 APT14M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3965pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT14F100S 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道、FREDFET FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:980 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3965pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3Pak 标准包装:1 APT14F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:980 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3965pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15D100BHBG APT15D100KG APT15D120BCTG APT15D120BG APT15D120KG APT15D30KG APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG APT15D60BCTG APT15D60BG APT15D60KG APT15DQ100BCTG APT15DQ100BG APT15DQ100KG APT15DQ120BCTG APT15DQ120BG APT15DQ120KG