APT35GP120JFD2_代理商_批发/采购【买卖IC网】APT35GP120JFD2

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APT35GP120JFD2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13430
APT
直插/贴片
2024+
-
代理商库房现货

APT35GP120JFD2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT35GP120JFD2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT35GP120JFD2
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APT35GP120JFD2
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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APT35GP120JFD2 技术参数

APT35GP120JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.24nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT35GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:64A 功率 - 最大值:284W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.24nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT35GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):140A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，35A 功率 - 最大值:543W 开关能量:750μJ（开），680μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/94ns 测试条件:600V，35A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT35GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:96A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):140A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，35A 功率 - 最大值:543W 开关能量:750μJ（开），680μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:150nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/95ns 测试条件:600V，35A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT35GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:94A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 功率 - 最大值:379W 开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 测试条件:800V，35A，2.2 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG APT40DR160HJ APT40DS04HJ

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