APT37F50B+TO3P

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " APT37F50B+TO3P " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6

APT37F50B+TO3P PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT37F50B+TO3P 技术参数

APT37F50B 功能描述:MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:145nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5710pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT36N90BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 2.9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:252nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7463pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT36GA60BD15 功能描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):109A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:290W 开关能量:307μJ（开），254μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT36GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):109A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:290W 开关能量:307μJ（开），254μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:102nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/122ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT35GT120JU3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55A 功率 - 最大值:260W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.53nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG APT40DQ60BCTG APT40DQ60BG APT40DR160HJ APT40DS04HJ APT40DS10HJ APT40GF120JRDQ2 APT40GL120JU2 APT40GL120JU3 APT40GLQ120JCU2 APT40GP60B2DQ2G