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APT44GA60BD30

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT44GA60BD30
    APT44GA60BD30

    APT44GA60BD30

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • TO-247B

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT44GA60BD30C
    APT44GA60BD30C

    APT44GA60BD30C

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 32571

  • APT/晶科电子

  • TO-247

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • APT44GA60BD30
    APT44GA60BD30

    APT44GA60BD30

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 15862

  • APTMICROSEMI

  • TO-247..

  • 22+

  • -
  • 全新原装正品现货热卖

  • APT44GA60BD30
    APT44GA60BD30

    APT44GA60BD30

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • TO-247 [B]

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APT44GA60BD30
    APT44GA60BD30

    APT44GA60BD30

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 2

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • APT44GA60BD30
    APT44GA60BD30

    APT44GA60BD30

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • TO-247

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • APT44GA60BD30C
    APT44GA60BD30C

    APT44GA60BD30C

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 18652

  • APT/ MICROSEMI

  • Standard

  • 2024+

  • -
  • 全国最底价现货

  • APT44GA60BD30C
    APT44GA60BD30C

    APT44GA60BD30C

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 47141

  • MICROSE

  • -
  • 原装现货/特价

  • APT44GA60BD30
    APT44GA60BD30

    APT44GA60BD30

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • APT

  • TO-247B

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • APT44GA60BD30
    APT44GA60BD30

    APT44GA60BD30

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 10

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • APT44GA60BD30
    APT44GA60BD30

    APT44GA60BD30

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 545

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APT44GA60BD30
    APT44GA60BD30

    APT44GA60BD30

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO-247 [B]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共35条 
  • 1
APT44GA60BD30 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IGBT 600V 78A 337W TO-247
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
  • 系列
  • POWER MOS 8™
  • 标准包装
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)
  • 3V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 输入类型
  • 标准
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-247-3
  • 供应商设备封装
  • PLUS247?-3
  • 包装
  • 管件
APT44GA60BD30 技术参数
  • APT44GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):78A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):130A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,26A 功率 - 最大值:337W 开关能量:409μJ(开),258μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:128nC 25°C 时 Td(开/关)值:16ns/84ns 测试条件:400V,26A,4.7 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT44F80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):47A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):240 毫欧 @ 24A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT44F80B2 功能描述:MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):47A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 24A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT43M60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 21A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):215nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8590pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT43M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 21A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):215nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8590pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT45M100J APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3
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