APT50GP60B2DF2_代理商_批发/采购【买卖IC网】APT50GP60B2DF2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT50GP60B2DF2
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
APT
TO-247
22+
-
全新原装现货供应

APT50GP60B2DF2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT50GP60B2DF2
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
10+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT50GP60B2DF2
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9133
APT
TO-247
12+
-
绝对公司原装现货

APT50GP60B2DF2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
13672
APT
直插/贴片
2024+
-
绝对装原现货

APT50GP60B2DF2G
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
6500
APT
TO-247
12+/13+
-
原装现货/特价

APT50GP60B2DF2
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
APT
价格优势
17+
-
原装正品。优势供应

APT50GP60B2DF2
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
APT
价格优势
21+
-
只做原装正品

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
POWER MOS 7 IGBT

APT50GP60B2DF2 技术参数

APT50GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:107A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，50A 功率 - 最大值:366W 开关能量:1185μJ（开），1565μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:325nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/230ns 测试条件:400V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GN60BDQ2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:107A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.85V @ 15V，50A 功率 - 最大值:366W 开关能量:1185μJ（开），1565μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:325nC 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/230ns 测试条件:400V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:134A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 功率 - 最大值:543W 开关能量:4495μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:315nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/320ns 测试条件:800V，50A，2.2 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT50GN120B2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:134A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 功率 - 最大值:543W 开关能量:4495μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:315nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/320ns 测试条件:800V，50A，2.2 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT50GLQ65JU2 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG