APT8DQ60KCT_代理商_批发/采购【买卖IC网】APT8DQ60KCT

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT8DQ60KCT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
09+
-
假一罚十，百分百原装正品

APT8DQ60KCT
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
APT
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

APT8DQ60KCT
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
14124
APT
直插/贴片
2024+
-
代理商库房现货

APT8DQ60KCTG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
APT(MICROSEMI)
标准封装
TO-220 [K]
-
全新原装100%正品保证质量

APT8DQ60KCT
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
2500
isc,iscsemi
TO-220-3
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APT8DQ60KCT
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
APT
TO-220
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT8DQ60KCT
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-220 [K]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

1/1页 40条/页共19条
1

您是不是要找： APT8DQ60KCTG APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60

APT8DQ60KCT PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APT8DQ60KCT PDF下载

制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE

APT8DQ60KCT 技术参数

APT85GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:170A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:660nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/300ns 测试条件:600V，85A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT85GR120JD60 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT85GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:116A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT85GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX? 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:170A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):340A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，85A 功率 - 最大值:962W 开关能量:6mJ（开），3.8mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:660nC 25°C 时 Td（开/关）值:43ns/300ns 测试条件:600V，85A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:T-MAX? 标准包装:1 APT84M50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 84A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:84A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 42A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13500pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT97N65LC6 APT9F100B APT9M100B APTB1612ESGC-F01 APTB1612LQBDCGKC APTB1612LSURKCGKC APTB1612LSURKQBDC APTB1612LSURKSYKC APTB1612LSURKZGKC APTB1612LSYKCGKC APTB1612LVBDSEKJ3C APTB1612LVBDSYKJ3C APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01

发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

*型号	*数量	厂商	批号	封装

添加更多采购

我的联系方式

在采购APT8DQ60KCT进货过程中，您使用搜索有什么问题和建议？点此反馈

友情提醒：为规避购买APT8DQ60KCT产品风险，建议您在购买APT8DQ60KCT相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明：以上所展示的APT8DQ60KCT信息由会员自行提供，APT8DQ60KCT内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

APT8DQ60KCT

采购需求

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

我的联系方式