APTC60TAM35PG

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说明
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APTC60TAM35PG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6-P
17+
-
全新原装现货

APTC60TAM35PG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

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1

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功能描述
MOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6-P
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTC60TAM35PG 技术参数

APTC60TAM24TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTC60TAM21SCTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:116A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 88A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:580nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13000pF @ 100V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTC60SKM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60SKM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60SKM24CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V FET 功能:超级结功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTC80DDA29T3G APTC80DSK15T3G APTC80DSK29T3G APTC80H15T1G APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G