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APTGT400DA120D3

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    APTGT400DA120D3G

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • D3

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGT400DA120D3
    APTGT400DA120D3

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  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

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    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 8000

  • isc,iscsemi

  • S108X62-7L

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

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APTGT400DA120D3 技术参数
  • APTGT400A60D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 500A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):24nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT400A120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):560A 功率 - 最大值:1785W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):750μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):28nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT400A120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 580A 2100W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):580A 功率 - 最大值:2100W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):750μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):29nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT35X120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):55A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT35SK120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):55A 功率 - 最大值:205W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT400U170D4G APTGT450A60G APTGT450DA60G APTGT450DU60G APTGT450SK60G APTGT50A1202G APTGT50A120D1G APTGT50A120T1G APTGT50A120TG APTGT50A170D1G APTGT50A170T1G APTGT50A170TG APTGT50A60T1G APTGT50DA120D1G APTGT50DA120TG APTGT50DA170D1G APTGT50DA170T1G APTGT50DA170TG
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