APTM20DUM04G

配单专家企业名单

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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTM20DUM04G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
全新原装现货

APTM20DUM04G
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
1899
MICROCHIP
NA
近两年
-
查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

APTM20DUM04G
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
23587
Microsemi Power Products
原厂封装
2023+
-
原装新到现货库存

APTM20DUM04G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTM20DUM04G
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Microsemi
22+
-
原装正品

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1

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功能描述
MOSFET MOD DUAL COM SRC 200V SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM20DUM04G 技术参数

APTM20DHM20TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:89A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 44.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:112nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6850pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM20DHM16TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:104A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM20DHM16T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:停產 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:104A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTM20DHM10G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:175A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20DHM08G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:208A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20SKM04G APTM20SKM05G APTM20SKM08TG APTM20SKM10TG APTM20TAM16FPG APTM20TDUM16PG APTM20UM03FAG APTM20UM04SAG APTM20UM05SG APTM20UM09SG APTM50A15FT1G APTM50AM17FG APTM50AM19FG APTM50AM19STG APTM50AM24SCG APTM50AM24SG APTM50AM25FTG APTM50AM35FTG