您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第2569页 >

APTM50AM38SCTG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APTM50AM38SCTG
    APTM50AM38SCTG

    APTM50AM38SCTG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP4

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTM50AM38SCTG
    APTM50AM38SCTG

    APTM50AM38SCTG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
APTM50AM38SCTG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET MOD PHASE LEG SER/SIC SP4
  • RoHS
  • 类别
  • 半导体模块 >> FET
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • *
APTM50AM38SCTG 技术参数
  • APTM50AM38FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):90A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 45A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):246nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50AM35FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):99A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):39 毫欧 @ 49.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50AM25FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):149A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 74.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):29600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50AM24SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):434nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):19600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50AM24SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):150A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):434nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):19600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G APTM50DUM25TG APTM50DUM35TG APTM50DUM38TG APTM50H10FT3G APTM50H14FT3G APTM50H15FT1G APTM50HM35FG APTM50HM38FG APTM50HM65FT3G
配单专家

在采购APTM50AM38SCTG进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买APTM50AM38SCTG产品风险,建议您在购买APTM50AM38SCTG相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的APTM50AM38SCTG信息由会员自行提供,APTM50AM38SCTG内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号