APTM50UM25S

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说明
操作

APTM50UM25SG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
模块
17+
-
全新原装现货

APTM50UM25S
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
2000
isc,iscsemi
S108X62-4L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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1

您是不是要找： APTM50UM25SG APTM60A11FT1G APTM60A23FT1G APTM60H23FT1G APTMC120AM08CD3AG APTMC120AM09CT3AG APTMC120AM12CT3AG APTMC120AM16CD3AG APTMC120AM20CT1AG

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Single switch Series & parallel diodes MOSFET Power Module

APTM50UM25S 技术参数

APTM50UM19SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 163A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:163A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 81.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:492nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:J3 模块供应商器件封装:模块标准包装:1 APTM50UM13SAG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 335A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:335A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 167.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:800nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:42200pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50UM09FAG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 497A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:497A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 248.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:63300pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50TDUM65PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM50TAM65FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 25.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTMC120AM25CT3AG APTMC120AM55CT1AG APTMC120HM17CT3AG APTMC120HR11CT3AG APTMC120HR11CT3G APTMC120HRM40CT3AG APTMC120HRM40CT3G APTMC120TAM12CTPAG APTMC120TAM17CTPAG APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG