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APTM60A23FT1G

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  • APTM60A23FT1G
    APTM60A23FT1G

    APTM60A23FT1G

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP1

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET MODULE PHASE LEG SP1
  • RoHS
  • 类别
  • 半导体模块 >> FET
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • *
APTM60A23FT1G 技术参数
  • APTM60A11FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):132 毫欧 @ 33A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10552pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTM50UM25SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 149A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):149A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 74.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):364nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):17500pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:J3 模块 供应商器件封装:模块 标准包装:1 APTM50UM19SG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 163A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):163A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 81.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):492nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:J3 模块 供应商器件封装:模块 标准包装:1 APTM50UM13SAG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 335A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):335A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 167.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):800nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):42200pF @ 25V 功率 - 最大值:3290W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM50UM09FAG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 497A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):497A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 248.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 30mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1200nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):63300pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTMC120HR11CT3AG APTMC120HR11CT3G APTMC120HRM40CT3AG APTMC120HRM40CT3G APTMC120TAM12CTPAG APTMC120TAM17CTPAG APTMC120TAM33CTPAG APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG
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