APTMC120AM55CT1_代理商_批发/采购【买卖IC网】APTMC120AM55CT1

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APTMC120AM55CT1AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APTMC120AM55CT1AG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
10
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTMC120AM55CT1AG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原装

APTMC120AM55CT1AG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP1
17+
-
全新原装现货

APTMC120AM55CT1AG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83276452
地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
1767
MICROCHIP
ORIG
21+
-
全新原装在途

APTMC120AM55CT1
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
2000
isc,iscsemi
E51X40-16L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APTMC120AM55CT1AG
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
13
Microsemi Corporation
SP1
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

APTMC120AM55CT1AG
深圳市华思半导体技术有限公司
深圳市华思半导体技术有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-8329998313662227781
地址：华强北路华强广场B座27K
资质：营业执照
18000
MSC
原厂封装
23+
-
全新原装现货，特价支持

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APTMC120AM55CT1 技术参数

APTMC120AM25CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:105A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 4mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:197nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3800pF @ 1000V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120AM20CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:143A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:360nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5960pF @ 1000V 功率 - 最大值:600W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTMC120AM16CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:131A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 100A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 5mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:246nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4750pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTMC120AM12CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120AM09CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:295A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 200A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 40mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:644nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11000pF @ 1000V 功率 - 最大值:1250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120TAM34CT3AG APTMC170AM30CT1AG APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC

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