APTMC120HR11CT3A

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操作

APTMC120HR11CT3AG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APTMC120HR11CT3A
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
3000
isc,iscsemi
E73X40-32L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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APTMC120HR11CT3A 技术参数

APTMC120HM17CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:4 个 N 通道 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:147A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:332nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5576pF @ 1000V 功率 - 最大值:750W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120AM55CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:55A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:49 毫欧 @ 40A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:98nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 1000V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTMC120AM25CT3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:105A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 4mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:197nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3800pF @ 1000V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120AM20CT1AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（相角） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:143A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:360nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5960pF @ 1000V 功率 - 最大值:600W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTMC120AM16CD3AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:131A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 100A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 5mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:246nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4750pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:D-3 模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTMC170AM60CT1AG APTMC60TL11CT3AG APTMC60TLM14CAG APTMC60TLM55CT3AG APTML1002U60R020T3AG APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A