AUIRF7739L2TR_10

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制造商
IRF
制造商全称
International Rectifier
功能描述
Automotive DirectFET Power MOSFET

AUIRF7739L2TR_10 技术参数

AUIRF7739L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:46A（Ta），270A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 毫欧 @ 160A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11880pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:4,000 AUIRF7738L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Ta），130A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 毫欧 @ 109A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:194nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7471pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 L6 供应商器件封装:DIRECTFET L6 标准包装:4,000 AUIRF7737L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta），156A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 94A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:134nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5469pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 L6 供应商器件封装:DIRECTFET L6 标准包装:4,000 AUIRF7736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta），108A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 65A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:108nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4267pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 M4 供应商器件封装:DIRECTFET? M4 标准包装:4,800 AUIRF7734M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2545pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 M2 供应商器件封装:DIRECTFET? M2 标准包装:4,800 AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR