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BCR 183 B6327

配单专家企业名单
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  • BCR 183 B6327
    BCR 183 B6327

    BCR 183 B6327

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • Infineon

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  • BCR 183 B6327
    BCR 183 B6327

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:朱先生/李小姐

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  • 865000

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  • 功能描述
  • 开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶体管极性
  • NPN/PNP
  • 典型输入电阻器
  • 典型电阻器比率
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作频率
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 50 V
  • 集电极连续电流
  • 150 mA
  • 峰值直流集电极电流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作温度
  • 封装
  • Reel
BCR 183 B6327 技术参数
  • BCR 179T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 179L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 179F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:PG-TSFP-3 标准包装:3,000 BCR 169T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:PG-SC-75 标准包装:3,000 BCR 169L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP - 预偏压 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率 - 跃迁:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:PG-TSLP-3 标准包装:15,000 BCR 191F E6327 BCR 191L3 E6327 BCR 191T E6327 BCR 192 B6327 BCR 192F E6327 BCR 192L3 E6327 BCR 192T E6327 BCR 196F E6327 BCR 196L3 E6327 BCR 196T E6327 BCR 198F E6327 BCR 198L3 E6327 BCR 198T E6327 BCR 199F E6327 BCR 199L3 E6327 BCR 199T E6327 BCR 22PN H6727 BCR 401R E6327
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