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BSZ042N04NS G

配单专家企业名单
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  • 封装
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  • BSZ042N04NS G
    BSZ042N04NS G

    BSZ042N04NS G

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • BSZ042N04NS G
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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 60144

  • Infineon Technologies

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 优势代理,公司现货可开票

  • BSZ042N04NS G
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • BSZ042N04NS G
    BSZ042N04NS G

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • BSZ042N04NS G
    BSZ042N04NS G

    BSZ042N04NS G

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Infineon Technologies

  • 标准封装

  • 15+

  • -
  • 百分百原装假一罚十

  • BSZ042N04NS G
    BSZ042N04NS G

    BSZ042N04NS G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 13600

  • INFINEON

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • BSZ042N04NS G
    BSZ042N04NS G

    BSZ042N04NS G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3500

  • Infineon

  • S3O8

  • 13+

  • -
  • Infineon一级代理,价优

  • BSZ042N04NS G
    BSZ042N04NS G

    BSZ042N04NS G

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8(3.3x3.3)

  • 19+

  • -
  • 代理直销!进口原装正品!

  • BSZ042N04NS G
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    BSZ042N04NS G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • INFINEON

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

  • BSZ042N04NS G
    BSZ042N04NS G

    BSZ042N04NS G

  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-23930354

    地址:中航路都会轩3607

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8(3.3x3.3)

  • 19+

  • -
  • 代理直销!进口原装正品!

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  • 功能描述
  • MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BSZ042N04NS G 技术参数
  • BSZ040N06LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:5,000 BSZ040N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 36μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5100pF @ 20V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ036NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1200pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),37W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ036NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):25V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ035N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):74nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5700pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ058N03LS G BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03MSGATMA1 BSZ060NE2LS BSZ060NE2LSATMA1 BSZ065N03LS BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ067N06LS3 G BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ068N06NSATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ086P03NS3 G
配单专家

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