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BUK962R8-60E,118

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  • BUK962R8-60E,118
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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6256544762566447

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质：营业执照

  • 5000

  • NXP Semiconductors

  • 标准封装

  • 15+

  • -

  • 百分百原装假一罚十

  • BUK962R8-60E,118
    BUK962R8-60E,118

    BUK962R8-60E,118

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 60V 120A...

  • BUK962R8-60E,118
    BUK962R8-60E,118

    BUK962R8-60E,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • BUK962R8-60E,118
    BUK962R8-60E,118

    BUK962R8-60E,118

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • BUK962R8-60E,118
    BUK962R8-60E,118

    BUK962R8-60E,118

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人：彭小姐、刘先生、李小姐

    电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）

    地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质：营业执照

  • 7500

  • NXP

  • 原厂原装

  • 1716+

  • -

  • 只做原装 一手货源，代理商分销库存

  • BUK962R8-60E,118
    BUK962R8-60E,118

    BUK962R8-60E,118

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：0755-8363553213751165621

    地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质：营业执照

  • 460

  • Nexperia USA Inc.

  • TO-263-3，D?Pak（2 引线

  • 17+

  • -

  • 原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

  • BUK962R8-60E,118
    BUK962R8-60E,118

    BUK962R8-60E,118

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人：胡

    电话：13480313979

    地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质：营业执照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原装正品 专业BOM配单

  • BUK962R8-60E,118
    BUK962R8-60E,118

    BUK962R8-60E,118

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人：胡庆伟

    电话：13138879988

    地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 800

  • NEX

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

  • 0.99946 USD,szpoweri...

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BUK962R8-60E/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
BUK962R8-60E,118 技术参数
  • BUK962R8-30B,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10185pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK962R6-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc） 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:80.6nC @ 32V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:10285pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK962R5-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:120nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:17450pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:357W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 25A，5V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK962R1-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:87.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13160pF @ 25V 功率 - 最大值:293W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 BUK9629-100B,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:46A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4360pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:157W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 标准包装:1 BUK964R2-55B,118 BUK964R2-60E,118 BUK964R2-80E,118 BUK964R4-40B,118 BUK964R7-80E,118 BUK964R8-60E,118 BUK965R4-40E,118 BUK965R8-100E,118 BUK9660-100A,118 BUK966R5-60E,118 BUK9675-100A,118 BUK9675-100A/C1J BUK9675-55A,118 BUK968R3-40E,118 BUK969R0-60E,118 BUK969R3-100E,118 BUK98150-55,135 BUK98150-55/CUF
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