BZX884-C56 T/R

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功能描述
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

BZX884-C56 T/R 技术参数

BZX884-C51,315 功能描述:DIODE ZENER 51V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 35.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C51 标准包装:1 BZX884-C4V7,315 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C4V7 标准包装:1 BZX884-C4V3,315 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C4V3 标准包装:1 BZX884-C47,315 功能描述:DIODE ZENER 47V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:170 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 32.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C47 标准包装:1 BZX884-C43,315 功能描述:DIODE ZENER 43V 250MW SOD882 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 30.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 基本零件编号:BZX884C43 标准包装:1 BZX884-C8V2,315 BZX884-C9V1,315 BZY55B10 RYG BZY55B11 RYG BZY55B12 RYG BZY55B13 RYG BZY55B15 RYG BZY55B16 RYG BZY55B18 RYG BZY55B20 RYG BZY55B22 RYG BZY55B24 RYG BZY55B27 RYG BZY55B2V4 RYG BZY55B2V7 RYG BZY55B30 RYG BZY55B33 RYG BZY55B36 RYG