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BZY55B15RYG

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BZY55B15RYG 技术参数
  • BZY55B15 RYG 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B13 RYG 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):26 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 10V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B12 RYG 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B11 RYG 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B10 RYG 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7.5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B33 RYG BZY55B36 RYG BZY55B3V0 RYG BZY55B3V3 RYG BZY55B3V6 RYG BZY55B3V9 RYG BZY55B4V3 RYG BZY55B4V7 RYG BZY55B5V1 RYG BZY55B5V6 RYG BZY55B6V2 RYG BZY55B6V8 RYG BZY55B7V5 RYG BZY55B8V2 RYG BZY55B9V1 RYG BZY55C10 RYG BZY55C11 RYG BZY55C12 RYG
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