C3M0120065L

配单专家企业名单

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说明
操作

C3M0120065L
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
WOLFSPEED
con
22
-
现货原装查价格、订购可到京北通宇商城w...

C3M0120065L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
TOLL
2024+
-
国产品牌，可替代原装

C3M0120065L
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
CREE
SOP
21+
-
原装正品现货

C3M0120065L
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
WOLFSPEED
con
22
-
现货原装查价格、订购可到京北通宇商城w...

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C3M0120065L 技术参数

C3M0075120K 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30.8A TO247-4 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30.8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:51nC @ 15V Vgs（最大值）:+19V，-8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 1000V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:119W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 20A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-4L 封装/外壳:TO-247-4 标准包装:30 C3M0075120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）:1200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:51nC @ 15V Vgs（最大值）:+19V，-8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 1000V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.6W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 20A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK-7 封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 标准包装:50 C3M0065100K 功能描述:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiCFET (Silicon Carbide) 漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:TO-247-4 供应商器件封装:TO-247-4L 标准包装:1 C3M0065100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK-7 封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 标准包装:50 C3M0065090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:78 毫欧 @ 20A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 C3P0206S-A C3P0212S-A C3P0304S-A C3P0406S-A C3P0604S-A C3PES-1006G C3PES-1006M C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G