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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

C3M0280090J
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
CREE
SOP
21+
-
原装正品现货

C3M0280090J
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
9000
isc,iscsemi
D2PAK/TO-263-7L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

C3M0280090J
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Cree/Wolfspeed
D2PAK-7
17+
-
全新原装现货

C3M0280090J
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
WOLFSPEED
con
22
-
现货原装查价格、订购可到京北通宇商城w...

C3M0280090J
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
WOLFSPEED
con
22
-
现货原装查价格、订购可到京北通宇商城w...

C3M0280090J
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

C3M0280090J
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
966
Cree/Wolfspeed
17+
TO-263-8，D
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
MOSFET N-CH 900V 11A
制造商
cree/wolfspeed
系列
C3M?
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源极电压（Vdss）
900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
360 毫欧 @ 7.5A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
9.5nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
150pF @ 600V
功率 - 最大值
50W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
供应商器件封装
D2PAK-7
标准包装
50

C3M0280090J 技术参数

C3M0280090D 功能描述:MOSFET N-CH 900V 11.5A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 7.5A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.5nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:150pF @ 600V 功率 - 最大值:54W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C3M0120100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 15V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-4L 封装/外壳:TO-247-4 标准包装:30 C3M0120100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）:1000V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D2PAK-7 封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 标准包装:50 C3M0120090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:1 C3M0120090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:155 毫欧 @ 15A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:50 C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G C3PES-2606M C3PES-2618G C3PES-2618M C3PES-2636G C3PES-2636M C3PES-3406G C3PES-3406M

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