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C3P004.30.02

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • C3P004.30.02
    C3P004.30.02

    C3P004.30.02

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • General Cable/Carol Brand

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共1条 
  • 1
C3P004.30.02 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 24/4P C3 PLENUM WH CAROL 1KPP
  • RoHS
  • 类别
  • 线缆,导线 >> 多芯导线
  • 系列
  • *
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 缆线类型
  • 多芯
  • 导线数
  • 4
  • 线规
  • 12 AWG
  • 线束
  • 65 股 / 30 AWG
  • 导线材料
  • 裸铜
  • 套管类型
  • Carolprene
  • 套管直径
  • 0.475"(12.07mm)
  • 屏蔽类型
  • -
  • 长度
  • 250'(76.2m)
  • 额定值
  • -
  • 特点
  • -
  • 颜色
  • 电压
  • 300V
  • 工作温度
  • -40°C ~ 90°C
  • 使用
  • -
  • 线芯绝缘
  • -
  • 套管(绝缘体)厚度
  • 0.030"(0.76mm)
  • 屏蔽材料
  • -
  • 屏蔽覆盖范围
  • -
C3P004.30.02 技术参数
  • C3M0280090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 11A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 7.5A,15V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.5nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):150pF @ 600V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:1 C3M0280090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 11A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 7.5A,15V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.5nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):150pF @ 600V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:50 C3M0280090D 功能描述:MOSFET N-CH 900V 11.5A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 7.5A,15V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.5nC @ 15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):150pF @ 600V 功率 - 最大值:54W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C3M0120100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):1000V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):21.5nC @ 15V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散(最大值):83W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):155 毫欧 @ 15A,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247-4L 封装/外壳:TO-247-4 标准包装:30 C3M0120100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:SiC(碳化硅结晶体管) 漏源电压(Vdss):1000V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):21.5nC @ 15V Vgs(最大值):+15V,-4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散(最大值):83W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):155 毫欧 @ 15A,15V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D2PAK-7 封装/外壳:TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA 标准包装:50 C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G C3PES-2606M C3PES-2618G C3PES-2618M C3PES-2636G C3PES-2636M C3PES-3406G C3PES-3406M C3PES-3418G C3PES-3418M
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