CIG22B1R0MNE

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CIG22B1R0MNE
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
5870
Samsung Electro-Mechanics
2016+
-
公司现货！只做原装！

CIG22B1R0MNE
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Samsung Electro-Mechanics
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

CIG22B1R0MNE
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1738
Samsung Electro-Mechanics
1008（2520 公制）
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

CIG22B1R0MNE
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
59880
SAMSUNG/三星
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

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制造商
Samsung Electro-Mechanics
功能描述
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 1008 Embossed T/R
制造商
Samsung Electro-Mechanics
功能描述
POWER INDUCTOR,1008,1.0UH,20%,1.20A - Tape and Reel
制造商
SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
功能描述
INDUCTOR POWER 1UH 2.0A 1008

CIG22B1R0MNE 技术参数

CIG22B1R0MAE 功能描述:FIXED IND 1UH 1.3A 110 MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG22B_MAE 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:110 毫欧不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）供应商器件封装:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.032"（0.80mm）标准包装:3,000 CIG21W4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 300 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:650mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:300 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG21W3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 730mA 250 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包装:剪切带（CT）零件状态:停产类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:730mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:250 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG21W2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 810mA 200 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:810mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:200 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG21W1R5MNE 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 960mA 150 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG21W 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:- 电感:1.5μH 容差:±25% 额定电流:960mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:150 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:3,000 CIG22BR33MNE CIG22BR47MAE CIG22BR47MNE CIG22BR56MAE CIG22BR56MNE CIG22E1R0MAE CIG22E1R0MNE CIG22E1R0SNE CIG22E1R5MNE CIG22E2R2MNE CIG22E3R3MNE CIG22E4R7MNE CIG22ER47MNE CIG22ER50SNE CIG22H1R0MAE CIG22H1R0MNE CIG22H1R2MAE CIG22H1R2MNE