CMLDM8120G TR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CMLDM8120G TR
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Central Semiconductor Cor
SOT-563
17+
-
全新原装现货

CMLDM8120G TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CMLDM8120G TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
28350
CENTRAL S
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原装现货

CMLDM8120G TR PBFREE
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
194530
Central Semiconductor
SOT-563
20+
-
瑞智芯只做原装

CMLDM8120G TR
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
4650
Central Semiconductor Cor
SOT-563，SOT-666
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
860mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
150 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
3.56nC(4.5V)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
200pF @ 16V
功率 - 最大值
150mW
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
标准包装
1

CMLDM8120G TR 技术参数

CMLDM8120 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:860mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 950mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.56nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:200pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM8005 TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:650mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM8002AG TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:70pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM7585 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:650mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:230 毫欧 @ 600mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLDM7484 TR 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:450mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:460 毫欧 @ 200mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 CMLHPB11-1RLS4-52-150.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-1-01-V CMLHPB11-1RLS4-52-200.-A1-01-V CMLHPB11-1RLS4R-37028-200 CMLHPB11-1RLS4R-38186-175-V CMLHPB11-1RLS4R-38186-200-V CMLHPB11-1RS5-37738-200 CMLHPB11-2RLS5-39823-175-T CMLHPC111-1RLS4-32527-250 CMLHPK111-1REC5-33592-250 CMLHPK111-1RLS4-33518-1 CMLHPK111-1RLS5-52-250.-A-01-V CMLHPK111-1RS4-32924-225 CMLHPK111-38622-250-V CMLHPK111-38646-250-V CMLHPK11-1REC4-33767-200 CMLHPK11-1REC4-35051-200 CMLHPK11-1REC5-33230-175