CSD18510KTTT

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
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封装
批号
价格
说明
操作

CSD18510KTTT
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
TI(德州仪器)
TO-263-3
刚到货
-
代理可含税开票

CSD18510KTTT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
28103
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD18510KTTT
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
8600
TI
TO-263-3
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

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深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
495
Ti
DDPAK/TO-263 (KTT)
19
-
瑞智芯只有原装

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1

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功能描述
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
274A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
132nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
11400pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
2.6 毫欧 @ 100A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
DDPAK/TO-263-3
封装/外壳
TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
标准包装
1

CSD18510KTTT 技术参数

CSD18510KCS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:75nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 100A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220-3 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:50 CSD18509Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 毫欧 @ 32A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13900pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD18509Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 毫欧 @ 32A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13900pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD18504Q5AT 功能描述:N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1656pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），77W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-VSON（5x6）封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 CSD18504Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.6 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1656pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD18513Q5A CSD18513Q5AT CSD18514Q5A CSD18514Q5AT CSD18531Q5A CSD18531Q5AT CSD18532KCS CSD18532NQ5B CSD18532NQ5BT CSD18532Q5B CSD18532Q5BT CSD18533KCS CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS