CSD23381F4T_代理商_批发/采购【买卖IC网】CSD23381F4T

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD23381F4T
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Texas Instruments
3-PICOSTAR
17+
-
全新原装现货

CSD23381F4T
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
11000
TI
XFDFN-3
23+
-
原厂原装正品现货

CSD23381F4T
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
TI
原厂原装
1728+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

CSD23381F4T
深圳市德江源电子有限公司
深圳市德江源电子有限公司
联系人：张先生
电话：8296641615986789713
地址：深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
资质：营业执照
13000
TI/德州仪器
POSTAR-3
20+
-
只做原装，假一赔十

CSD23381F4T
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
5300
TI
NA
23+
-
MOSFET

CSD23381F4T
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
53195
Texas Instruments
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

CSD23381F4T
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

CSD23381F4T
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

CSD23381F4T
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7450
TEXAS INS
1521+
-
全新原装现货

CSD23381F4T
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
TI(德州仪器)
PICOSTAR-3
刚到货
-
代理可含税开票

CSD23381F4T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
29130
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD23381F4T
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
6415
Texas Instruments
17+
3-XFDFN
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

CSD23381F4T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
(YJC)
20
-
瑞智芯只有原装

CSD23381F4T
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4941
TI
XFDFN-3
2228+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

CSD23381F4T
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
TI
22+
-
原装正品

1/1页 40条/页共17条
1

您是不是要找： CSD23382F4 CSD23382F4T CSD2410 CSD2410F CSD24168 CSD242010 CSD24208 CSD242410 CSD242410W

CSD23381F4T PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

CSD23381F4T PDF下载

功能描述
MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.3A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
175 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
1.14nC @ 6V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
236pF @ 6V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
3-XFDFN
供应商器件封装
3-PICOSTAR
标准包装
1

CSD23381F4T 技术参数

CSD23381F4 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:175 毫欧 @ 500mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.14nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:236pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD23285F5T 功能描述:12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:628pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD23285F5 功能描述:MOSFET P-CH 12V 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:4.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:628pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 1A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD23280F3T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:116 毫欧 @ 400mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.23nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:234pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:3-PICOSTAR 标准包装:1 CSD23280F3 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:234pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:116 毫欧 @ 400mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-PICOSTAR 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440 CSD2450 CSD2475 CSD2490 CSD25201W15 CSD25202W15 CSD25202W15T CSD25211W1015 CSD25213W10