DFE252012R-H-1R5M=P2

配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

DFE252012R-H-1R5M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Murata Electronics North
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

DFE252012R-H-1R5M=P2
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
36890
MURATA
SMD
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

DFE252012R-H-1R5M=P2
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1463
Murata Electronics North
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

DFE252012R-H-1R5M=P2
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
59880
TOKO
2520
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

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1

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功能描述
1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 65 mOhm Max
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012R
包装
*
零件状态
新产品
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁粉
电感
1.5μH
容差
±20%
额定电流
2.5A
电流 - 饱和值
2.8A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
65 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 85°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
*
封装/外壳
*
大小/尺寸
*
高度 - 安装（最大值）
*
标准包装
1

DFE252012R-H-1R5M=P2 技术参数

DFE252012R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 49 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.1A 电流 - 饱和值:3.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:49 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 37 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:680nH 容差:±20% 额定电流:3.5A 电流 - 饱和值:4.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:37 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 5.7A 27 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:470nH 容差:±20% 额定电流:5.7A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:27 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252012P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 6.6A 23 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:330nH 容差:±20% 额定电流:6.6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:23 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252012PD-1R0M=P2 功能描述:FIXED IND 1UH 3.2A 42 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012PD 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.2A 电流 - 饱和值:3.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:42 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）供应商器件封装:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3 DFEG12060D-1R5M=P3 DFEG12060D-220M=P3 DFEG12060D-2R2M=P3 DFEG12060D-3R3M=P3 DFEG12060D-4R7M=P3 DFEG12060D-5R6M=P3 DFEG12060D-6R8M=P3 DFEG12060D-8R2M=P3 DFEG7030D-100M=P3 DFEG7030D-150M=P3 DFEG7030D-1R0M=P3