JAN1N5597

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制造商
Texas Instruments
功能描述
1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

JAN1N5597 技术参数

JAN1N5558 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:175V 电压 - 击穿（最小值）:191V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:265V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.7A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5556 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:40.3V 电压 - 击穿（最小值）:43.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:24A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5555 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30.5V 电压 - 击穿（最小值）:33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5554US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 5A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/420 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5554 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/420 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5616US JAN1N5617 JAN1N5617US JAN1N5618 JAN1N5618US JAN1N5619 JAN1N5619US JAN1N5620 JAN1N5620US JAN1N5621 JAN1N5621US JAN1N5622 JAN1N5622US JAN1N5623 JAN1N5623US JAN1N5629A JAN1N5632A JAN1N5635A