JAN1N5632A

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JAN1N5632A
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1450
MSC
2002
-
公司现货,只做原装！

JAN1N5632A
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
0
1466
NA
-
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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk

JAN1N5632A 技术参数

JAN1N5629A 功能描述:TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5.8V 电压 - 击穿（最小值）:6.45V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:143A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JAN1N5623US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/429 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 12V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5623 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/429 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.6V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:500ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 JAN1N5622US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/427 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JAN1N5622 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/427 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JAN1N5648A JAN1N5649A JAN1N5651A JAN1N5652A JAN1N5653A JAN1N5655A JAN1N5660A JAN1N5711-1 JAN1N5711UR-1 JAN1N5772 JAN1N5802 JAN1N5802URS JAN1N5802US JAN1N5804 JAN1N5804URS JAN1N5804US JAN1N5806 JAN1N5806URS