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MJD127GOS

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MJD127GOS 技术参数
  • MJD122T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD122-1 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:75 MJD117T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD112T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:25MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJB44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 400mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 4A,1V 功率 - 最大值:50W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 MJD200G MJD200RLG MJD200T4 MJD200T4G MJD200T5G MJD210 MJD210G MJD210RL MJD210RLG MJD210T4 MJD210T4G MJD210TF MJD243 MJD243G MJD243T4 MJD243T4G MJD253-001 MJD253-1G
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