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STF12NK65Z TK11A65

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    STF12NK65Z TK11A65

    STF12NK65Z TK11A65

  • 深圳市桂鹏科技有限公司
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    联系人:田小姐/高先生/李小姐

    电话:0755-828102988281039882810298

    地址:深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D(地王大厦周边)

    资质:营业执照

  • 82810298

  • TOSHIBA

  • TO-220F

  • 15+

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  • 深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

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STF12NK65Z TK11A65 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STF12NK65Z TK11A65 技术参数
  • STF12NK65Z 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):62.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1837pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):640 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):59nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1740pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):430 毫欧 @ 4.3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-5 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):500 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):535pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):538pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF13N65M2 STF13N80K5 STF13N95K3 STF13NK50Z STF13NM50N STF13NM60N STF13NM60ND STF13NM60N-H STF140N6F7 STF140N8F7 STF14N80K5 STF14NM50N STF14NM65N STF150N10F7 STF15100 STF15100C STF15150 STF15200
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