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STF5N65M6

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  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • TO-220F

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • STF5N65M6
    STF5N65M6

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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 58260

  • STMicroelectronics

  • SMD

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  • 优势代理,公司现货可开票

  • STF5N65M6
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    STF5N65M6

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

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    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

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STF5N65M6 技术参数
  • STF5N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):620V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 2.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):680pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF5N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 1.85A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):165pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF5N52U 功能描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:UltraFASTmesh?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):525V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):529pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF5N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):525V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):545pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF5N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1050V(1.05kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):210pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220 整包 标准包装:50 STF6N62K3 STF6N65K3 STF6N65M2 STF6N68K3 STF6N80K5 STF6N90K5 STF6N95K5 STF6NK70Z STF6NM60N STF701.TCT STF715 STF724 STF7LN80K5 STF7N105K5 STF7N52DK3 STF7N52K3 STF7N60M2 STF7N65M2
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