STGD7NB60H_代理商_批发/采购【买卖IC网】STGD7NB60H

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说明
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STGD7NB60H
深圳市芯睿晨科技有限公司
深圳市芯睿晨科技有限公司
联系人：李小姐/肖先生
电话：0755-8257149682571956
地址：赛格广场69楼6900
资质：营业执照
5085
ST
原厂封装
21+
-
★假一赔十!绝对原装现货市场最低价！★

STGD7NB60H
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
86500
ST
TO252
最新批号
-
一级代理原装正品现货！

STGD7NB60H-1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ST
TO-
07/08+
-
全新原装100%正品保证质量

STGD7NB60H
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
13000
ST
TO252
98+
-
全新原装现货

STGD7NB60H
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
原厂原装
15+
-
原装正品，假一罚十

STGD7NB60H
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
sgs
-
假一罚十，百分百原装正品

STGD7NB60H
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3506
ST
TO-252
2206+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

STGD7NB60H 技术参数

STGD6NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ（开），68μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD6NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 开关能量:20μJ（开），68μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:21ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD6NC60H-1 功能描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:62.5W 开关能量:20μJ（开），68μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:13.6nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 安装类型:通孔供应商器件封装:IPAK（TO-251）标准包装:75 STGD6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:88W 开关能量:36μJ（开），200μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:21.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:140ns 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STGD5NB120SZT4 功能描述:IGBT 1200V 10A 75W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):10A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，5A 功率 - 最大值:75W 开关能量:2.59mJ（开），9mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:- 25°C 时 Td（开/关）值:690ns/12.1μs 测试条件:960V，5A，1 千欧，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGE50NB60HD STGE50NC60VD STGE50NC60WD STGF10H60DF STGF10M65DF2 STGF10NB60SD STGF10NC60HD STGF10NC60KD STGF10NC60SD STGF12NB60KD STGF14N60D STGF14NC60KD STGF15H60DF STGF15M65DF2 STGF17NC60SD STGF19NC60HD STGF19NC60KD STGF19NC60WD

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