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STGE200N60K

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • STGE200N60K
    STGE200N60K

    STGE200N60K

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • ISOTOP,SOT-227

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • STGE200N60K
    STGE200N60K

    STGE200N60K

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • ISOTOP?

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STGE200N60K
    STGE200N60K

    STGE200N60K

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3526

  • ST

  • ISOTOP?

  • 14+

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

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  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT 晶体管 IGBT 600 V BiPolar ISOTOP Parall Trans
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 650 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 2.3 V
  • 栅极/发射极最大电压
  • 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流
  • 150 A
  • 栅极—射极漏泄电流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作温度
  • 封装 / 箱体
  • TO-247
  • 封装
  • Tube
STGE200N60K 技术参数
  • STGDL6NC60DT4 功能描述:IGBT 600V 13A 50W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):25A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.9V @ 15V,3A 功率 - 最大值:50W 开关能量:46.5μJ(开),23.5μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:12nC 25°C 时 Td(开/关)值:6.7ns/46ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):30ns 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:2,500 STGDL6NC60DIT4 功能描述:IGBT 600V 13A 50W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):13A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):18A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.9V @ 15V,3A 功率 - 最大值:50W 开关能量:32μJ(开),24μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:12nC 25°C 时 Td(开/关)值:6.7ns/46ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):23ns 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD8NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 15A 62W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.75V @ 15V,3A 功率 - 最大值:62W 开关能量:55μJ(开),85μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:19nC 25°C 时 Td(开/关)值:17ns/72ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD8NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 62W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.75V @ 15V,3A 功率 - 最大值:62W 开关能量:55μJ(开),85μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:19nC 25°C 时 Td(开/关)值:17ns/72ns 测试条件:390V,3A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):23.5ns 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD7NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 25A 70W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):50A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,7A 功率 - 最大值:70W 开关能量:95μJ(开),115μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:35nC 25°C 时 Td(开/关)值:18.5ns/72ns 测试条件:390V,7A,10 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGF10NC60SD STGF12NB60KD STGF14N60D STGF14NC60KD STGF15H60DF STGF15M65DF2 STGF17NC60SD STGF19NC60HD STGF19NC60KD STGF19NC60WD STGF20H60DF STGF20M65DF2 STGF20NB60S STGF20V60DF STGF30H60DF STGF30M65DF2 STGF30NC60S STGF30V60DF
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