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  • STGP12NB60K
  • 12800
  • STMicroelectronics
  • 16+
  • TO-220AB
1
STGP12NB60K
参数信息:

功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp

RoHS:

制造商:Fairchild Semiconductor

配置:

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:2.3 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

功率耗散:187 W

最大工作温度:

封装 / 箱体:TO-247

封装:Tube

STGP12NB60K技术参数

STGP12NB60KD 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP14N60D 功能描述:IGBT 晶体管 14A 600V SHRT CIR RUGGED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP14NC60KD 功能描述:IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP15H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed STGP15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,15A 功率 - 最大值:136W 开关能量:90μJ(开),450μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:45nC 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/93ns 测试条件:400V,15A,12 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):142ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STGP18N40LZ 功能描述:IGBT 晶体管 400V INTRN CLMP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP19NC60H 功能描述:IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP19NC60HD 功能描述:IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP19NC60K 功能描述:IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP19NC60KD 功能描述:IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP12NB60KD STGP14N60D STGP14NC60KD STGP15H60DF STGP15M65DF2 STGP18N40LZ STGP19NC60H STGP19NC60HD STGP19NC60KD STGP19NC60S STGP19NC60SD STGP19NC60W STGP19NC60WD STGP20H60DF STGP20M65DF2 STGP20NC60V STGP20V60DF STGP20V60F