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STGP12NB60K
参数信息:

功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp

RoHS:

制造商:Fairchild Semiconductor

配置:

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:2.3 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

功率耗散:187 W

最大工作温度:

封装 / 箱体:TO-247

封装:Tube

STGP12NB60K技术参数

STGP12NB60KD 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP14N60D 功能描述:IGBT 晶体管 14A 600V SHRT CIR RUGGED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP14NC60KD 功能描述:IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP15H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed STGP18N40LZ 功能描述:IGBT 晶体管 400V INTRN CLMP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP19NC60H 功能描述:IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP19NC60HD 功能描述:IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP19NC60K 功能描述:IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP19NC60KD 功能描述:IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STGP19NC60S 功能描述:IGBT 晶体管 N-channel 600V 20A - TO-220 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube STHDLS101QTR STHDLS101TQTR STHDMI001ATTR STHDMI002ABTR STHS2375AM6F STHS2375LM6F STHS2377AM6F STHS4257A1M6F STHV748QTR STHV800L STHVDAC-253MF3 STHVDAC-253MTGF3 STHVDAC-256MTGF3 STK11C68-C35 STK11C68-C35I STK11C68-C45 STK11C68-C45I STK11C68-L35